用楔形柱面光纤微透镜耦合的1.3μm SOA组件

运用激光模式耦合理论分析了半导体光放大器(SOA)与单模通信光纤的连接损耗,并设计制作了楔形柱面光纤微透镜用来实现两者的模斑匹配,有效地降低了器件的光耦合损耗.本文介绍了楔形柱面光纤微透镜耦合的1.3 μm半导体光放大器(SOA)组件及其制作方法.该组件的最大增益不小于14 dB,其偏振灵敏度小于1 dB,增益波动不大于0.5 dB.     

Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

X分形晶格上Gauss模型的临界性质

采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词： X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质     

Microstructure of laser melted Al18B4O33w/2024Al composite

The microstructure of a laser treated Al₁₈B₄O₃₃w/2024Al composite has been investigated using transmission electron microscope (TEM), low-angle (glancing angle) X-ray diffraction (XRD) techniques. Various surface microstructures were observed in the laser treated composite. The Al₁₈B₄O₃₃ whisker on the surface of the composite was decomposed during laser surface melting, various decomposition products were studied in the laser treated composite. Eutectic phases and the precipitation in the matrix of the composite with laser-treated were observed. The main phases detected in the molten zone were aluminum and decomposition products Al₂O₃. The effect of laser treatment on the hardness of the composite was also examined. A surface hardness of 400 Hv was noted.     

时间分辨红外发射光谱法对自由基反应的研究

在过去的 15年中 ,傅立叶变换红外发射光谱法广泛应用于研究气相自由基反应 .Sloan首先研究了O(1D)的反应 ,随后Leone和Hancock研究了O(3 P)的反应 .此后 ,孔繁敖和朱起鹤等研究了小自由基 ,包括CH、CH2 、CH3 、C2 H3 、C2 H5、C2 H、C3 H3 和C3 H5与O2 、NO、N2 O、NO2 等分子的反应。在红外光谱中观察到各个反应的初生产物和初步反应通道 ,和从头算的理论研究结合起来 ,这些反应的机理已基本弄清 .     

关于“信息熵”分析及其应用的研究

本文用Ｓｈａｎｎｏｎ熵函数的观点及最大离散熵原理，探讨了对随机试验项目的优选问题：即压缩某种“不确定性”试验项目的实施与探索．并通过应用实例的计算，获得了满意的聚类效果．这种方法对于信息资料的数据处理及压缩“不确定性“验项目具有普遍意义．     

OSCILLATION OF A FORCED SECOND ORDER NONLINEAR EQUATION

ＯＳＣＩＬＬＡＴＩＯＮ ＯＦ Ａ ＦＯＲＣＥＤ ＳＥＣＯＮＤ ＯＲＤＥＲ ＮＯＮＬＩＮＥＡＲ ＥＱＵＡＴＩＯＮ ￥ＫＯＮＧＱＩＮＧＫＡＩ；ＺＨＡＮＧＢＩＮＧＧＥＮＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｇｉｖｅｓｓｅｖｅｒａｌｃｒｉｔｅｒｉａｏｎｔｈｅｏ...     

R_2Fe_17_C化合物的结构与内禀磁性的研究

本文系统研究了R_2Fe_17_C(R=Y,Sm,Gd,Tb、Dy.Er) 化合物的结构与内享磁性, 井与相应的R_2Fe_17_C 化合物进行了比较.R_2Fe_17_C 的居里温度比相应氏R_2Fe_17 的居里温度增加大约200K. 本文讨论了C 原子对该化合物结构与磁性的影响, 同时, 还对Sm_2(Fe_1-xCo_x)_17C系列化合物进行了研充. 关键词：     

Global existence and blow-up of solutions to a parabolic system with nonlocal sources and boundaries

This paper deals with a semi-linear parabolic system with nonlinear nonlocal sources and nonlocal boundaries.By using super-and sub-solution techniques,we first give the sufficient conditions that the classical solution exists globally and blows up in a finite time respectively,and then give the necessary and sufficient conditions that two components u and v blow up simultaneously.Finally,the uniform blow-up profiles in the interior are presented.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.